DS1230YL-100
N/A
Deutsch
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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18+ | $16.71 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | 100ns |
Spannungsversorgung | 4.5V ~ 5.5V |
Technologie | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Supplier Device-Gehäuse | 28-EDIP |
Serie | - |
Verpackung / Gehäuse | 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Through Hole |
Speichertyp | Non-Volatile |
Speichergröße | 256Kbit |
Speicherorganisation | 32K x 8 |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Speicherformat | NVSRAM |
Zugriffszeit | 100 ns |
DS1230YP-120+ DALLAS
DS1230 3.3 VOLT, 256 K NV SRAM
DS1230YP-150+ DALLAS
DS1230YP-150IND+ DALLAS
DALLAS SOP
IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DALLAS SOP
IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
3.3 VOLT, 256 K NONVOLATILE SRAM
IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230 3.3 VOLT, 256 K NV SRAM
IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DALLAS SOP
DALLAS SOP
IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() DS1230YL-100N/A |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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